ご挨拶

民間企業の基礎研究所に28年間勤務した後、2013年4月より先進理工学部の電気・情報生命工学科に教授として着任致しました。この企業では、一つの研究所に所属していたわけではなく、社内の実用化に近い研究所やカリフォルニア大学で研究を行う機会に恵まれました。このように、一つの研究所以外での経験が、その後の私の研究の糧になったと思っています。そこで、今回の早稲田大学への着任も私自身の糧になるように努め、これまでに得た糧を早稲田大学へ還元したいと考えています。

これまで、III-V 族化合物半導体の結晶成長を行い、新しい材料や機能的な微細構造を半導体デバイスへ応用する研究を進めてきました。今までに私が取り扱ってきた半導体は、GaAs、InP、GaSb、GaP、GaNなど多岐に渡っています。今後もこれらの半導体や新しい半導体に関する基礎研究を行い、デバイスへ応用する研究開発を進めたいと思っています。そして、このようなサイエンスからエンジニアリングまで の幅広い研究開発を行うことを通じて、『人財』を育成するとともに快適な社会を創造したいと考えています。

最後になりますが、早稲田大学における伝統ある材料研究の分野における諸先輩方の実績に恥じないように、研究・ 教育に情熱を持って取り組んで参りますので、今後とも、皆様のご指導ご鞭撻のほど、宜しくお願い致します。

略歴

1985 年東京大学大学院工学研究科修士課程修了。同年日本電信電話株式会社入社。 日本電信電話株式会社・NTT 物性科学基礎研究所の特別研究員や所長などを経て、2013年より早稲田大学先進理工学部電気・情報生命工学科教授。化合物半導体の結晶成長とデバイス応用に関する研究に従事。1993 年カリフォルニア大学サンタバーバラ校客員研究員。平成27年度科学技術分野の文部科学大臣表彰（2015年）。応用物理学会フェロー。博士（工学）。

リンク

トップランナー：https://www.ase.sci.waseda.ac.jp/update/toprunner/390

電気・情報生命工学科： http://www.eb.waseda.ac.jp/top/laboratory/22makimoto.html