牧本研究室 - 教授紹介

研究発表一覧

日付	学会 / 発表誌	著者	題名	番号
2024-09-19	秋季応用物理学会講演会	若杉遼太, 梅木蒼生, 守田璃子, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹	光伝導度測定によるアンドープGaAs/GaAsN 超格子の評価	19p-P09-1
2024-09-19	秋季応用物理学会講演会	吉田知生, 佐々木大航, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹	アニールしたSiドープGaAsNの電気的特性	19p-P09-2
2024-09-19	秋季応用物理学会講演会	田中創太, 藤田実樹, 塚崎貴司, 牧本俊樹	PL法を用いたBeドープGaAsNの成長温度依存性の評価	19p-P09-3
2024-09-19	秋季応用物理学会講演会	小野芳樹, 井上洸, 南奈津, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹	BeドープAlGaAsNにおける電気伝導機構	19p-P09-4
2023-11	14th International Conference on Nitride Semiconductors	Takashi Tsukasaki, Hirokazu Sasaki, Miki Fujita, Toshiki Makimoto	High Thermal Coefficient Resistance for Heavily Si-doped GaAsN after Annealing	MoP-CH-22
2023-09-22	秋季応用物理学会講演会	南　奈津, 井上洸, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹	RF-MBE法で成長したAlGaAsNのフォトルミネッセンス発光	22p-P10-15
2023-09-22	秋季応用物理学会講演会	梅木蒼生, 有田晴香, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹	AlGaAs/GaAs超格子太陽電池のPL法による評価	22p-P10-16
2023-07	Journal of Vacuum Science & Technology A	Takashi Tsukasaki, Hisashi Sumikura, Takuma Fujimoto, Miki Fujita, Toshiki Makimoto	Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence	J. Vac. Sci. Technol. A, 41 (2023) 052702.
2023-06	65th Electric Materials Conference	T. Tsukasaki, T. Tsunoda, K. Inoue, M. Fujita, T. Makimoto	Suppression of Nitrogen Composition Fluctuation by Beryllium Doping in GaAsN Ternary Alloys	PS12
2022-09-20	秋季応用物理学会講演会	井上洸, 角田拓優, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹	X線逆格子マッピングによる不純物ドープGaAsNの評価	23p-C101-12
2022-09-20	秋季応用物理学会講演会	南奈津, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹	フォトルミネッセンス特性を用いたSiドープGaAsNにおける有効質量の評価	21a-C101-9
2022-09-19	36th North American Molecular Beam Epitaxy Conference	Takashi Tsukasaki, Hisashi Sumikura, Takuma Fujimoto, Miki Fujita, Toshiki Makimoto	Slow photoluminescence lifetime of heavily Be-doped GaAsN	-
2022-02-28	Physica B: Condensed Matter	T. Tsukasaki, Naoki Mochida, M. Fujita, T. Makimoto	Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing	Physica B, 625 (2022) 413482.
2021-09-22	秋季応用物理学会講演会	伊藤大貴, 北村淳一郎, 塚本健太, 村雲秋斗, 佐々木大航, 土井亮太, 永露大希, 牧本俊樹	InN/GaNヘテロ構造における電子移動度の改善	13a-N101-6
2021-09-22	秋季応用物理学会講演会	有田晴香, 塚崎貴司, 藤本卓雅, 牧本俊樹	InAs/GaAs単一量子井戸からのフォトルミネッセンス発光	12a-N406-7
2021-09-22	秋季応用物理学会講演会	北村淳一郎, 塚本健太, 村雲秋斗, 伊藤大貴, 松尾翔太, 牧本俊樹	RF-MBE法で石英ガラス基板上に成長したInGaN	13a-N101-7
2021-09-22	秋季応用物理学会講演会	清水利玖, 及川大地, 藤田利晃, 牧本俊樹	大気中アニールによるTiNの電気的特性	22a-P04-2
2021-09-22	秋季応用物理学会講演会	塚本健太, 北村淳一郎, 村雲秋斗, 伊藤大貴, 土岐真聖, 松尾翔太, 牧本俊樹	RF-MBE法による高温InGaNバッファー層を用いた石英ガラス基板上へのInNの二段階成長	13a-N101-8
2021-09-22	秋季応用物理学会講演会	村雲秋斗, 伊藤大貴, 北村淳一郎, 塚本健太, 牧本俊樹	RF-MBE法を用いてポリイミド基板上に成長したInN	13a-N101-9
2021-09-22	秋季応用物理学会講演会	山田唯人, 塚崎貴司, 清水光一郎, 牧本俊樹	光伝導測定によるSi-GaAsNの評価	12p-N406-1
2021-03-15	Crystal Research and Tecnology	T. Tsukasaki, Ren Hiyoshi, M. Fujita, T. Makimoto	Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN	Volume 56, Issue 3 (2021).
2020-09-16	秋季応用物理学会講演会	伊藤大貴, 土岐真聖, 松尾翔太, 牧本俊樹	RF-MBE法により石英ガラス基板上に室温成長したInN/GaNダブルヘテロ構造	11a-Z02-11
2020-09-16	秋季応用物理学会講演会	角田拓優, 塚崎貴司, 椎野直樹, 藤田実樹, 牧本俊樹	高濃度BeドープGaAsNにおけるBe-N形成	9p-Z01-1
2020-09-16	秋季応用物理学会講演会	藤本卓雅, 塚崎貴司, 椎野直樹, 藤田実樹, 牧本俊樹	高濃度BeドープGaAsNのフォトルミネッセンス特性	9p-Z01-2
2020-03-13	春季応用物理学会講演会	塚崎貴司, 持田直輝, 藤田実樹, 牧本俊樹	SiドープGaAsNにおける電子濃度のアニール温度依存性	12a-D215-2
2020-03-13	春季応用物理学会講演会	藤森郁男, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹	RF-MBE法で成長したGaAsNにおけるEgのN組成依存性	13p-PA5-2
2019-09-19	秋季応用物理学会講演会	塚崎貴司, 日吉連, 藤田実樹, 牧本俊樹	SiドープGaAsNにおけるフォトルミネッセンス発光過程のSi不純物濃度依存性	18a-B31-1
2019-09-19	秋季応用物理学会講演会	山木大樹, 伊藤大貴, 清水利玖, 木内翔太, 足立美紀, 藤田利晃, 牧本俊樹	RF-MBE法で低温成長したガラス基板上InAlNの抵抗率の温度特性	18a-PB3-28
2019-09-19	秋季応用物理学会講演会	大竹浩二朗, 清水光一郎, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹	PL測定を用いたアンドープGaAsNにおける局在準位の評価	19a-PB5-2
2019-09-19	秋季応用物理学会講演会	清水光一郎, 大竹浩二朗, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹	室温における光伝導度測定によるGaAsNの評価	19a-PB5-1
2019-09-19	秋季応用物理学会講演会	土岐真聖, 松尾翔太, 牧本俊樹	高温InNバッファ層を用いたガラス基板上InNのRF-MBE二段階成長	18a-PB3-27
2019-09-19	秋季応用物理学会講演会	松尾翔太, 土岐真聖, 山木大樹, 牧本俊樹	RF-MBE法を用いてガラス基板上に成長したInNの成長温度依存性	18a-PB3-26

これ以前の研究発表については、こちらのTOPICSをご参照ください。