分子線エピタキシャル法（MBE法）を用いて、GaAsN薄膜やGaAsN系構造を成長し、電気的・光学的特性を解明しています。 そして、励起子（エキシトン）に注目して光学的特性を評価し、励起子が安定に存在する薄膜構造を成長することに挑戦しています。 さらに、これらの励起子を利用して光吸収を促進させることにより、太陽電池の効率を向上させることを目指しています。

トランジスタやLEDなどの通常の半導体デバイスでは、周囲の温度によってデバイス特性が変化しないことが必要です。 これに対して、半導体薄膜をサーミスタに応用する場合には、温度によって大きく変化する特性を持つ薄膜が必要になります。 そこで、本研究では、温度によって大きく変化する抵抗を持つ薄膜の作製を目指しています。

パワーエレクトロニクス用の半導体デバイスへの応用を目指して、バンドギャップエネルギーの大きな酸化ガリウム(Ga2O3)が注目されています。 本研究では、大面積で安価に成長することが可能なスパッタ法を用いることにより、抵抗の低い酸化ガリウム(Ga2O3)を成長することを目指しています。